MOSFET / IGBT用ゲートドライバ（2回路入）
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三相インバータ用に設計したMOSFET・IGBTスイッチング用ゲートドライバです。基板のみとなり、3枚目～5枚目は部品実装時のイメージです。ご注意ください 基板サイズ、穴位置は秋月電子さんで売られているCタイプ基板（P-00517など）と揃えているためM3スペーサ等を使用してスタックすることが可能です フォトカプラがOFFのとき負電圧を, ONのとき正電圧を出力することにより, MOSFET/IGBTをスイッチングします。この際, 出力される電圧は使用する絶縁電源によって異なります 2回路入りとなっており, 電源・信号共に絶縁されているためハイサイドの電位変動を考慮する必要がなくなります。ハイサイド・ローサイド双方のスイッチングに対応していますが, 同時オン状態を防ぐ機能はないため, デッドタイム生成回路を使用して同時オンを防ぐようにしてください 本基板を使用した結果生じた損害につきましては, 一切の責任を負いません。安全に十分配慮しつつ、自己責任でおねがいします 本基板に関する内容やその他の製品に関する質問, 回路・基板設計のご相談等ございましたらお気軽にお寄せください。最大限対応いたします
各部品について
必要な部品例は以下の通りです。一部を除き秋月電子さんの通販コードを記載しています。複数種類の中から選択できる場合は複数記載していますので参考にしてください J1：C-00077, C-06568 DC電源入力です。入力する電圧は下記の絶縁電源に合わせてください P1, 2：M-06530, M-06529, M-04264など（順に±15V, ±12V, ±5V） 絶縁電源モジュールです。基板上には「MCW03-12D15」と書いてありますがピンアサインが同じであれば別のものでも構いません。ドライブさせたい素子に合わせた電圧を選択してください C1-6：P-03116 電源平滑用電解コンです。極性に注意してください C7-12：P-10147 高周波特性改善用のリードMLCCです。こちらは極性がありません TLP250H：I-08042 フォトカプラです。向きに注意してください R1, 2：省略 TLP250HのLEDの電流制限抵抗です。状況によって値が変わるため省略します R3-6, 9, 10：R-08563 放電抵抗です。必ずしも100kΩである必要はありません。1/6Wサイズ以下を使用してください。 R7, 8：省略 ゲート抵抗です。ドライブさせたい素子やスイッチングスピードに合わせたものを使用してください。1/6Wサイズ以下に対応しています D1-4：I-07498 ゲート保護用のツェナーダイオードです。なくても動きます。実装する際は極性に注意してください J2-5：C-14417, C-14412（順にサイド型, トップ型） 入出力用のコネクタです。JST NHコネクタを上げましたがXHコネクタ等でも使えます。電線を直接はんだ付けしても問題ありません。 J2, 4について, こちらはフォトカプラに繋がっています。1ピンが電源側, 2ピンがGND側です J3, 5について, こちらはゲートドライバの出力に繋がっています。1ピンがゲート側, 2ピンがソース/エミッタ側となります